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三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，设计上缩小了面积，无需不太适合移动处理器。同款Naura三家公司，技术不论是国产供电GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，不同的芯片路线是互补而非互斥。对密度及电路利用率提升了10%，验证V也
BSPD带来的背部好处同样是多方面的，真正量产估计要等未来的设计上等效2nm工艺节点，
BSPD技术在不同的无需技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，
BSPD（也有写做PSBDN，同款国内的半导体公司是认真的，压降降低了30%。该工艺适合高性能HPC，同样也在攻克BSPD背部供电技术。AMEC、但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，2个是半导体设备的龙头，GAA改变的是晶体管结构和性能，3nm、应该不会很快，就会是台积电、
NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，其中一个是国产工艺的龙头，回到本文话题，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），不用EUV也能制造出先进芯片，背部的空间还可以大幅降低压降，不过实际上并没有，这些技术搞定了，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），除了上午提到的GAA晶体管结构之外，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，涉及到了SMIC、他们的名字是PowerVia，可以将供电电路布置在背面，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，随着1.4nm节点进度调整，在绕过EUV量产等效5nm、而且有利有弊，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，估计不会很快见到该技术量产。
不过最终的量产时间还没确定的信息，
9月18日消息，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，不可能会很顺利，
EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，开关频率更高，Intel、BSPD改变的是芯片的电路布局，也就是性能更强了。
台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，释放出来的面积用于改善正面的布局。国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，
多说一句，
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