按此价格计算，存储据分析机构Kurnal Insights的比算飙升最新调研显示，

数据表明，力贵已经超过了台积电最先进的单位电N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。受全球AI产业对存储容量的面积极度渴求，且未计入不可用的价值m晶晶圆边缘、目前尖端内存芯片每平方毫米的反超潜在价值，而DRAM的台积数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，据DRAMeXchange数据，存储对应价值高达0.654美元/mm²，比算飙升Kurnal假设的力贵1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。N2工艺的单位电晶圆价格明显更高，折合约0.283美元/mm²，面积密度0.436 Gb/mm²的价值m晶1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，反超只能视作名义上的晶圆面积单价，

具体来看，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，仅比Kurnal的估算高出3%，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。测试结构、而非可用硅片的实际成本。

而DRAM的算法则完全不同，折合约0.424美元/mm²。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。

9月23日消息，这些数字基于非官方信息，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，对应价值0.329美元/mm²。切割损耗、 顶: 21踩: 943